Pusvadītāju ierīce — tranzistors sastāv no divām \(p-n\) pārejām. Tātad tranzistoram ir trīs pusvadītāju slāņi, kuru nosaukumi kolektors (\(C\)), bāze (\(B\)) un emiters (\(E\)), un trīs izvadi. Malējos slāņus izgatavo no pusvadītāju materiāla ar vienādu vadītspējas tipu, bet centrālo — no materiāla ar pretēju vadītspējas tipu. Kombinējot \(p-n\) pārejas, iegūst \(p-n-p\) vai \(n-p-n\) tranzistorus.
Zīmējumā var redzēt \(n-p-n\) tranzistora šķērsgriezuma shēmu:
Pusvadītāju slāņu kontakta zonās veidojas divas \(p-n\) pārejas. Pāreju starp kolektoru un bāzi sauc par kolektora pāreju, starp emiteru un bāzi - par emitera pāreju.
Tranzistoru apzīmējumus shēmās var redzēt zīmējumā:
Apskatīsim \(p-n-p\) tipa tranzistoru. Tranzistora emiteru pieslēdz strāvas avota pozitīvajam polam, bet kolektoru — negatīvajam polam. Šī gadījumā emitera pāreja darbosies caurlaides virzienā, un caurumi caur emitera pāreju var brīvi nokļūt bāzē (bāze ir ļoti plāna). Ja uz bāzes nav potenciāla, vai arī uz tās ir pozitīvs potenciāls, caurumi no bāzes kolektorā nokļūt praktiski nevar sprostslāņa (starp bāzi un kolektoru) dēļ.
Turpretī, ja bāzei pievada nelielu negatīvu spriegumu, caur emitera pāreju sāk plūst caurlaides strāva. Kolektora negatīvais spriegums ir relatīvi lielāks nekā bāzes spriegums. Tādēļ lielākā daļa šīs emitera strāvas plūst caur kolektora pāreju, jo elektriskais lauks starp bāzi un kolektoru pavājina sprostslāņa lauku.
Tranzistorā nelielas bāzes strāvas izmaiņas, ļauj vadīt daudz lielāko kolektora strāvu.
Tranzistorus izmantoto elektronikā, piemēram, signālu pastiprināšanai un modulēšanai.